应郝树伟教授和姜再兴教授邀请，俄罗斯科学院高级研究员Kolesnikov Aleksei Viktorovich到我校进行学术访问，并开展化工与化学学院“明德讲堂”学术报告，欢迎广大师生参加。
报告题目：以ZnGeP2单晶为例，探讨单晶缺陷研究的可能性
报告时间：2026年5月22日（星期五） 14:00-15:00
报告地点：明理学术报告厅（明德楼 D702）
报告摘要：
系统介绍可直接获取单晶结构图像的四大主要研究方法——光学显微镜、原子力显微镜、X射线形貌术以及透射电子显微镜，深入分析各种方法的优势与局限性，并以ZnGeP2单晶为具体案例，重点展示X射线形貌术在揭示单晶结构缺陷方面的应用成果，为材料科学、半导体物理及晶体学领域的研究人员与学生提供多尺度缺陷表征的技术参考与实践经验。
报告人简介：
Kolesnikov Aleksei Viktorovich研究员，1973 年 11 月 18 日出生，俄罗斯新西伯利亚人，物理数学科学博士，现任俄罗斯科学院西伯利亚分院日扎诺夫半导体物理研究所高级研究员。
1997 年毕业于新西伯利亚国立技术大学无线电技术、电子与物理系，同年进入上述研究所工作，历任初级研究员、助理研究员，2010 年起担任高级研究员至今，长期从事 X 射线结构分析相关研究。
他熟练掌握劳厄法、单晶透射形貌术、高分辨率双晶衍射术等多种单晶 X 射线结构分析技术，主要研究方向为半导体单晶与异质晶（锗、硅、A3B5族化合物）及光物理功能单晶（磷锗锌单晶、石英、三硼酸锂等）的结构缺陷表征，拥有丰富的实验与研究经验，已发表学术论文40 余篇。
