梁骏吾院士学术报告会预告

报告题目：光伏电池的材料和器件工艺

嘉        宾：梁骏吾 院士

时        间：6月10日上午9:00

地        点：新活动中心330

嘉宾简介：

梁骏吾，男，中国科学院半导体所院士。1933年9月出生于武汉，1955年毕业于武汉大学，1960年获苏联副博士学位，1997年当选为中国工程院院士。现为中国多晶硅产业联盟主任委员。

1960-1964年，从事国家12年发展规划制定的高纯区熔硅单晶研制的任务，研制的区熔硅单晶纯度达到国际最好水平，并获1964年国家科委科技成果二等奖和新产品二等奖。

1965-1969年，研究了硅外延及介质隔离硅片，为156工程所需的集成电路提供了硅材料。研制成功了砷化镓液相外延片，为我国第一支室温相干激光器的成功研制做出了贡献。

1978-1982年研究大规模集成电路所用硅材料，生长了无位错、无漩涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅单晶材料，为4K位、16K位MOS动态随机存储器所需材料做出贡献，获中国科学院1979年、1980年重大科技成果一等奖各一次。

1988年 由于“掺氮中子嬗变硅单晶”获中科院科技进步一等奖。

90年代因“微机控制光加热外延炉的研制和硅外延技术的研究”以及事有机金属化合物气相外延生长GaAs/AlGaAs量子阱超晶格材料的研制，为提高我国半导体量子阱激光器的质量和成品率做出了贡献，获得了中科院科技进步奖二等奖二次。

90年代末到本世纪初还从事了电子工业废气废水的治理工作。

1996年，研究了“环境中砷的治理及检测新方法、新设备”，获得国家科技进步三等奖。

2001年，研究了“电子工业废气、废水的综合治理及痕量磷的检测新方法”，并获得上海科技进步二等奖（发明）。

2004年至今主要研究重点为日盲型铝镓氮紫外探测器材料以及太阳电池用材料特别是多晶硅的研究和生产。

2007年完成“国防973”项目——日盲型铝镓氮紫外材料。

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                                          化工学院

                                      2011年6月5日